RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3112
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link