RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
53
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2886
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link