RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um -284% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3081
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link