RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
96
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2960
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link