RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
96
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2271
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link