RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
96
Rund um -153% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2829
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link