RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
96
Rund um -243% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3419
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link