RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
96
Rund um -405% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3220
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link