RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3317
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link