A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Puntuación global
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 29
    En 10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 8.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1677 left arrow 988
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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