RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
94
En -276% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
25
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3886
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link