RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
94
En -262% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2891
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link