RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
94
En -129% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.7
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
41
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
1855
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link