RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
94
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
60
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2359
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link