RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2706
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link