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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
22
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2771
3515
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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