RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3372
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link