RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
52
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
1254
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Informar de un error
×
Bug description
Source link