RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2870
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link