Comparación de la memoria RAM A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Puntuación global

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 52

En -73% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 1,145.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 4200

En 5.07 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

409 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns