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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2443
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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