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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
52
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
4200
En 6.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
42
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
25600
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2352
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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