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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3601
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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