RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2767
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Mushkin 996902 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link