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AMD AE34G1601U1 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
67
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3448
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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