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AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
73
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
63
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1863
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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