RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
73
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3055
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link