RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1617
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24EB8GS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link