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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
73
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
38
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2174
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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