RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
22.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
3792
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link