RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Compara
AMD R538G1601U2S 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
25
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
25
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
3683
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link