RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3384
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link