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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2437
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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