RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2407
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link