RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2987
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link