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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
65
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1981
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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