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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
35
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2568
2179
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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