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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
72
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
72
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
1593
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 992015 (997015) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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