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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
3767
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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