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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
SK Hynix Kingston 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
53
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,544.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
En 1.66% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix Kingston 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR2
Latencia en PassMark, ns
39
53
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
3,538.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,544.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
529
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix Kingston 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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