RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Compara
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2949
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link