Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    17 left arrow 27
    En 37% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    22.8 left arrow 14.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.4 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    17 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    22.8 left arrow 14.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    15.4 left arrow 10.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3391 left arrow 2409
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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