RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
2427
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link