RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Corsair VS1GB800D2 1GB
Puntuación global
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair VS1GB800D2 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,361.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,680.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,361.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
460
2654
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link