RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
24
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
19
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3192
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link