RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3538
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link