RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3009
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link