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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
2926
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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