RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2545
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link