RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
41
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
3120
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link